Sterowniki bramek tranzystorów SiC-MOSFET oraz IGBT od firmy Tamura

Firma Tamura wprowadziła na rynek sterowniki bramek tranzystorów następnej generacji SiC-MOSFET oraz IGBT serii DM, które z powodzeniem mogą znaleźć zastosowanie w przemysłowych falownikach, układach kondycjonowania energii elektrycznej, napędów czy zasilania.

Dzięki wbudowanej przetwornicy DC/DC oraz obwodom sterującym do prawidłowej pracy tych dwukanałowych sterowników potrzebnych jest jedynie kilka komponentów zewnętrznych. Firma Tamura położyła szczególny nacisk na odporność przeciw zakłóceniom (common-mode). Pojemność własna sterowników to typ. 15 pF. Czas odpowiedzi dla tych układów to typ. tylko 100ns. Do podstawowych parametrów układów 2DM180506CM, 2DM180206CM, 2DM150806CM oraz  2DM150606CM należą:

•    Zakres napięcia zasilania od DC13V do DC28V/DC24V,
•    Napięcie sygnału wejściowego 5V,
•    Liczba kanałów – 2,
•    Maksymalna moc  wyjściowa 3W (na kanał),
•    Napięcie wyjściowe  dla sterowników SiC-MOSFET (H) +17V～+19V / (L)  -4V～-6V lub -1V～-3V,
•    Napięcie wyjściowe dla sterowników IGBT (H) +14V～+16V , (L) -7V～-9V lub -5V～-7V,
•    Częstotliwości przełączania SiC-MOSFET: 2600nC／50kHz, 650nC／200kHz,
•    Częstotliwości przełączania IGBT: 2700nC／50kHz, 700nC／200kHz,
•    Temperatura pracy  od - 30℃ do +85℃.

Więcej informacji takich jak karty katalogowe, nota aplikacyjna itp. można znaleźć na stronie producenta:

http://www.tamura-ss.co.jp/electronics/en/gatedriver/