Pamięci DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) znana także jako pamięć systemowa, charakteryzuje się bardzo wysoką wydajnością odczytu i zapisu danych. Jedną z zalet tego rozwiązania jest szybkość działania oraz swobodny dostęp, który umożliwia korzystanie z poszczególnych danych. Wady to zmienność i wyższa cena niż w przypadku produktów opartych na NAND.

Moduł technologiczny DRAM koncentruje się na integracji know-how w przemyśle półprzewodników i wykorzystuje najbardziej wiarygodne i pewne komponenty, aby zapewnić optymalną wydajność i funkcjonalność. Poniżej przybliżamy te standardy pamięci, które oferuje m.in. firma ATP.

DDR4

Moduł ATP DDR4 jest ewolucyjnym przejściem od DDR3, wspierającym cechy i funkcje, które oferują mniejszą moc, wyższą wydajność i lepszą jakość względem wcześniejszych produktów DRAM. Funkcje obsługiwane przez DDR4 doskonale nadają się dla klientów, którym zależy na zwiększeniu możliwości przepustowości ich sprzętu w celu wsparcia wzrostu ruchu internetowego.

DDR3

Generacja pamięci DDR3 pozwala na przesyłanie danych przez porty I/O z prędkością osiem razy szybszą niż częstotliwość taktowania pamięci. ATP oferuje DDR3 SDRAM w szerokiej gamie obudów, w tym SODIMM i Minnie-DIMM. Moduły DDR3 firmy ATP dostarczają również wyższą przepustowość pamięci i niższe zużycie energii.

DDR3 SDRAM jest obsługiwane przez najnowszy procesor i chipset, takie jak serii Intel Core i7, procesor AMD AM3 Phenom i najnowsze chipsety AMD Embedded Enterprise. ModułyDDR3 nie są kompatybilne z pinami modułów poprzedniej generacji i niemożliwe jest wpięcie DDR3 do niekompatybilnych gniazd.

Oprócz standardowej oferty linia produktów DDR3 zwiększyła niezawodności o takie opcje jak powłoki ochronne. Rozwiązanie ATP Ultimate 16GB DDR3 cechuje się niskim poborem mocy (1.35V), wysoką prędkością (1600 MHz) i niezawodnością oraz niskim kosztem. Moduły DRAM idealnie nadają się do serwerów Intel Atom, platform AMD DDR3 i wysokiej wydajności aplikacji komputerowych.

DDR2

Prędkość zegara pamięci przemysłowej DDR2 SDRAM została zmniejszona o połowę w porównaniu z generacją DDR1 dla danej prędkości magistrali. Zmiana ta spowodowała wzrost prędkości magistrali o równoważnej częstotliwości taktowania pamięci, kosztem zwiększenia opóźnienia. Napięcie zostało obniżone z 2,5 V do 1,8 V, aby zmniejszyć zużycie energii.

Moduły DDR2 DIMM są dostępne w różnych wersjach, w tym 240 pin full-sized DIMM, 200 pin So-DIMM, 240 pin Very Low Profile (VLP) DIMM, 244 pin Mini-DIMMs, a także 240 pin FB-DIMMs. Wersje te nie są kompatybilne z obudowami DDR lub DDR3.

DDR

Moduł DDR (Double Data Rate) DRAM, także znany jako DDR1, stał się standardem JEDEC w 2000 roku i był to znaczący postęp w stosunku do technologii SDRAM, zwiększał on przepustowość pamięci i wydajności.

Moduły DDR DRAM także zaoszczędzają energie ponieważ pracują na zasilaniu 2.5 lub 2.6 V, czyli na niższych napięciach niż poprzednie moduły SDRAM. Generacja pamięci DDR3pozwala na przesyłanie danych przez porty I/O z prędkością osiem razy szybszą niż częstotliwość taktowania pamięci.

SDRAM

SDRAM (Synchronous DRAM) to wspólne określenie dla PC100 i PC133 SDRAM. ATP obsługuje szereg opcji, takich jak 168-pin full-sized DIMM i 144-pin SODIMM, w tym: RDIMM, ECC UDIMM, VLP, SO-UDIMM i UDIMM.

Firmie ATP niezwykle zależy na dostarczaniu klientom produktów, które cechuje duża niezawodność i najwyższa jakość, w związku z tym ATP oferuje niestandardowe usługi badań, tak aby oferowane przez nich rozwiązania sprostały specyficznym wymaganiom różnorodnych aplikacji.