Wydajne dyski SSD 3D NAND Flash nowej generacji M.2 2280 NVMe N600Si/N600Sc.

NVMe i 3D NAND to jedne z najbardziej przełomowych technologii, jakie widzieliśmy w ostatnich latach, dzięki czemu w ofercie CSI znaleźć można funkcjonalne dyski SSD M.2 NVMe (model N600Si i N600Sc).

NVMe i 3D NAND to jedne z najbardziej przełomowych technologii, jakie widzieliśmy w ostatnich latach, dzięki czemu w ofercie CSI znaleźć można funkcjonalne dyski SSD M.2 NVMe (model N600Si i N600Sc) producenta ATP. Zapewniają wysoki poziom wydajności, niezawodności i wytrzymałości. Spełniają rygorystyczne wymagania w zastosowaniach przemysłowych i zapewniają długi okres bezproblemowej eksploatacji.

Dyski M.2 oparte na protokole NVMe™ wykorzystują szybki interfejs PCI Express® (PCIe®), zapewniając radykalną poprawę szybkości w celu zaspokojenia rosnących wymagań co do wydajności nośników. Zapewniając przepustowość 32 Gb/s na gnieździe PCIe 3,1 x4 (8 Gb/s na kanał), dyski SSD ATP NVMe przewyższają prędkością dyski SSD Serial ATA 6 Gb/s z 4-6-krotnie szybszym dostępem, ponad 3-krotnie krótszymi opóźnieniami i większą liczbą wejść/wyjść na sekundę (IOPS). Dyski SSD ATP NVMe dedykowane dla przemysłu zapewniają stabilną pracę nawet w ekstremalnych temperaturach w zakresie od -40°C do 85°C (dotyczy modelu N600Si). Dostępne pojemności: od 120 GB do 1920 GB. Zwiększona wydajność zapewnia sekwencyjny odczyt do 3 280 MB/s i sekwencyjny zapis do 3 050 MB/s. Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF) wynosi ok. 2 000 000 godzin. Dyski mogą pracować w macierzy RAID.

Produkty wspierają technologię:
a) S.M.A.R.T – system monitorowania kondycji dysku
b) Power Protector 4 – jeszcze lepsza ochrona danych przed skutkami spadku / zaniku zasilania
c) Advanced Global Wear-Leveling – zaawansowana optymalizacja zużycia nośnika
d) Dynamic Thermal Throttling – mechanizm zabezpieczający przed uszkodzeniem w wyniku przegrzania

8-kanałowa wydajność NAND

Dyski SSD ATP N600Si/N600Sc M.2 NVMe 2280 wyposażone są w PCIe Gen3 x 4 8 Gb/s o równoczesnym przepływie danych w ośmiu kanałach NAND. Taka konstrukcja optymalizuje zarówno sprzęt, jak i oprogramowanie w celu pełnego wykorzystania specyfikacji PCIe 3.1 i NVMe 1.3 SSD, odpowiadając na zapotrzebowanie różnych branż na szybką i niezawodną pamięć przemysłową. 

Wszechstronna ochrona danych

Kompleksowa ochrona danych i korekcja błędów SRAM (ECC) zapewniają kontrolę i tym samym niezawodny transfer danych.

Konstrukcja PLP oparta na MCU

Dodatkową korzyścią dla użytkowników pamięci flash jest unikalny mechanizm zarządzania zasilaniem i ochrony przed utratą mocy (PLP) oparty o moduł MCU. Zintegrowana z układem ATP 4 generacji PLP, Power Protector 4, konstrukcja modułu MCU poprawia ochronę urządzenia oraz integralność danych w przypadku spadku / zaniku zasilania.